вот потому протоны и не летают ныне

Alexander Hohryakov написал(а) к Andrey Arnold в Sep 17 19:23:04 по местному времени:

Здpавствуй, Andrey!

Понедельник 11 Сентября 2017 17:50, ты писал(а) мне, в сообщении по ссылке area://su.hardw.schemes?msgid=2:5020/830.590+59b6d040:

AA>>> И канал(ы) может даже несколько раз перересекать ПП переходы
AA>>> туда и обратно, раздваиваться и снова сходится, заканчиваться
AA>>> где-то в толще ПП-ка и тп.
AН>> У вас учебник какого года был? Наверное, очень древний, когда
AН>> транзисторы были ещё германиевые.

AA> У нас не было учебников по технологии ПП, как и по нескольким
AA> другим предметам...

Технология ПП, "клопы" - это вообще предмет несерьёзный. У нас был ознакомительный курс, один семестр. Учебник, если и был, я его в библиотеке не брал.

AA> Всё со слов преподавателя, а практические работы заканчивались
AA> на уровне напыления гибридных МС. Установку тоже сделал сам
AA> преподаватель.

Мы чего-то зачем-то мазали на подложку и зубрили, при каких температурах это надо печь.

AA> Но кремний со всякими там эпитаксиями мы уже изучали.

Нутро транзисторов мы изучали на "Электронных приборах".

AA> Кстати, если интересуют тонкости, то можешь погуглить на тему
AA> вырожденных полупроводников.
AA> Там правда моск легко вынести от одних только терминов...

В КТ315 вырожденные полупроводники не применяются.

С уважением - Alexander
--- -

Alexander Gatalsky написал(а) к Andrey Arnold в Sep 17 03:46:42 по местному времени:

Пpиветик, #Andrey# !
В Bockpeceньe Ceнтябpя 10 2017 Andrey Arnold => Alexander Нohryakov : вот потому протоны и не летают ныне

AG>>>> Еще набpошy вам: зачем пpи измеpении IкэR нyжен pезистоp именно
AG>>>> 10к, если его можно заменить пеpемычкой без заметной потеpи
AG>>>> точности ?
AН>> ======
AA>>>> ЗЫ.
AA>>>> Не думал, что и тут в эхе придётся такие банальности объяснять.
AН>> ======
AA>>> ПАТАМУШТА тогда транзистор неотличим от диода!
AН>> И чем же он таки отличается? Только без сусликов. Неравномерность
AН>> примесей, отклонения от Эбберса-Молла, что ещё? Одни лишь намёки
AН>> и советы подумать. А нельзя последовательно изложить всю картину
AН>> возникновения обратных токов? Народ, как видишь, тут подобрался
AН>> такой, что своей головой дойти до твоего понимания банальностей
AН>> не может.
AA> Я об этом уже тут писал подробно, только чукчи же не читатели...
AA> А если коротко - у транзисторов с плохоочищенными ПП материалами
AA> возможно появление проводящих каналов, которые ведут себя, как
AA> резисторы. Вот и вся картина. При этом эти каналы могут пролегать и от
AA> коллектора до самого эмиттера.
Теми более не понятна необходимость pезистоpа 10к вместо пеpемычки.

До новых встpеч. Alexander.

... Я пеpезвоню чеpез паpу часиков...
--- FTN Explorer v.2.50+

Andrey Arnold написал(а) к Alexander Hohryakov в Sep 17 18:03:51 по местному времени:

Alexander,

You wrote to Andrey Arnold:

AA>> Кстати, если интересуют тонкости, то можешь погуглить на тему
AA>> вырожденных полупроводников.
AA>> Там правда моск легко вынести от одних только терминов...
AН> В КТ315 вырожденные полупроводники не применяются.

Если поймёшь физику вырождения, то станет понятным и образование
проводящих каналов в изделиях с плохоочищенными полупроводниками.


Andrey

--- ArAnd

Andrey Arnold написал(а) к Alexander Gatalsky в Sep 17 18:08:08 по местному времени:

Alexander,

You wrote to Andrey Arnold:

AA>>>> ПАТАМУШТА тогда транзистор неотличим от диода!
AН>>> И чем же он таки отличается? Только без сусликов.
AН>>> Неравномерность примесей, отклонения от Эбберса-Молла, что ещё?
AН>>> Одни лишь намёки и советы подумать. А нельзя последовательно
AН>>> изложить всю картину возникновения обратных токов? Народ, как
AН>>> видишь, тут подобрался такой, что своей головой дойти до твоего
AН>>> понимания банальностей не может.
AA>> Я об этом уже тут писал подробно, только чукчи же не читатели...
AA>> А если коротко - у транзисторов с плохоочищенными ПП материалами
AA>> возможно появление проводящих каналов, которые ведут себя, как
AA>> резисторы. Вот и вся картина. При этом эти каналы могут пролегать
AA>> и от коллектора до самого эмиттера.
AG> Теми более не понятна необходимость pезистоpа 10к вместо пеpемычки.

Я уже трижды об этом говорил!

Чтобы исключить влияние тока Iкб0 на ток Iкэ0, через твой любимый h21.


Andrey

--- ArAnd

Alexander Hohryakov написал(а) к Andrey Arnold в Sep 17 10:40:38 по местному времени:

Здpавствуй, Andrey!

Суббота 16 Сентября 2017 18:03, ты писал(а) мне, в сообщении по ссылке area://su.hardw.schemes?msgid=2:5020/830.590+59bd685a:

AA>>> Кстати, если интересуют тонкости, то можешь погуглить на тему
AA>>> вырожденных полупроводников.
AA>>> Там правда моск легко вынести от одних только терминов...
AН>> В КТ315 вырожденные полупроводники не применяются.

AA> Если поймёшь физику вырождения, то станет понятным и образование
AA> проводящих каналов в изделиях с плохоочищенными полупроводниками.

Ты ж говорил, что это банальности, а тут, оказывается, моск легко вынести :-)
По простому не можно?

Да будь транзистор идеальным, с равномерно, безо всяких каналов, распределёнными примесями, обратные (тепловые) токи в нём будут того же порядка, что и в любом реальном, наугад выбранном в Чипе-Дипе. Почти в любом, отдельные вырожденные выродки таки есть.

С уважением - Alexander
--- -

Andrey Arnold написал(а) к Alexander Hohryakov в Sep 17 10:51:24 по местному времени:

Alexander,

You wrote to Andrey Arnold:

AA>>>> Кстати, если интересуют тонкости, то можешь погуглить на тему
AA>>>> вырожденных полупроводников.
AA>>>> Там правда моск легко вынести от одних только терминов...
AН>>> В КТ315 вырожденные полупроводники не применяются.
AA>> Если поймёшь физику вырождения, то станет понятным и образование
AA>> проводящих каналов в изделиях с плохоочищенными полупроводниками.
AН> Ты ж говорил, что это банальности, а тут, оказывается, моск легко
AН> вынести :-) По простому не можно?

По простому можно... и уже в который раз: Образуются проводящие каналы от коллектора до эмиттера.

Банальней некуда.


Andrey

--- ArAnd

Alexander Hohryakov написал(а) к Andrey Arnold в Sep 17 17:15:48 по местному времени:

Здpавствуй, Andrey!

Воскресенье 17 Сентября 2017 10:51, ты писал(а) мне, в сообщении по ссылке area://su.hardw.schemes?msgid=2:5020/830.590+59be5820:

AA>>>>> Кстати, если интересуют тонкости, то можешь погуглить на тему
AA>>>>> вырожденных полупроводников.
AA>>>>> Там правда моск легко вынести от одних только терминов...
AН>>>> В КТ315 вырожденные полупроводники не применяются.
AA>>> Если поймёшь физику вырождения, то станет понятным и образование
AA>>> проводящих каналов в изделиях с плохоочищенными
AA>>> полупроводниками.
AН>> Ты ж говорил, что это банальности, а тут, оказывается, моск легко
AН>> вынести :-) По простому не можно?

AA> По простому можно... и уже в который раз: Образуются проводящие каналы
AA> от коллектора до эмиттера.

Ваш препод, наверное, ровесник Лосева и Бонч-Бруевича, рассказывал о делах своей молодости. Нам в 1980-81гг излагали Эбберса-Молла и тому подобные вещи, практика с теорией хорошо согласуется - и никаких каналов. Не надо вырожденных полупроводников. "Тепловой ток", учебник посолиднее, мозг не выносится, хотя чтиво и не лёгкое.

AA> Банальней некуда.

С уважением - Alexander
--- -

Andrey Arnold написал(а) к Alexander Hohryakov в Sep 17 16:08:26 по местному времени:

Alexander,

You wrote to Andrey Arnold:

AA>>>>>> Кстати, если интересуют тонкости, то можешь погуглить на тему
AA>>>>>> вырожденных полупроводников.
AA>>>>>> Там правда моск легко вынести от одних только терминов...
AН>>>>> В КТ315 вырожденные полупроводники не применяются.
AA>>>> Если поймёшь физику вырождения, то станет понятным и
AA>>>> образование проводящих каналов в изделиях с
AA>>>> плохоочищенными полупроводниками.
AН>>> Ты ж говорил, что это банальности, а тут, оказывается, моск
AН>>> легко вынести :-) По простому не можно?
AН>
AA>> По простому можно... и уже в который раз: Образуются проводящие
AA>> каналы от коллектора до эмиттера.
AН> Ваш препод, наверное, ровесник Лосева и Бонч-Бруевича, рассказывал о
AН> делах своей молодости. Нам в 1980-81гг излагали Эбберса-Молла и тому
AН> подобные вещи, практика с теорией хорошо согласуется - и никаких
AН> каналов. Не надо вырожденных полупроводников. "Тепловой ток", учебник
AН> посолиднее, мозг не выносится, хотя чтиво и не лёгкое.

Ваш препод забыл вам объяснить, зачем нужна высокая очистка ПП-в и какие последствия будут от недостаточно чистых материалов...


Andrey

--- ArAnd

Alexander Hohryakov написал(а) к Andrey Arnold в Sep 17 23:08:36 по местному времени:

Здpавствуй, Andrey!

Четверг 21 Сентября 2017 16:08, ты писал(а) мне, в сообщении по ссылке area://su.hardw.schemes?msgid=2:5020/830.590+59c3e4ba:

AН>> Ваш препод, наверное, ровесник Лосева и Бонч-Бруевича,
AН>> рассказывал о делах своей молодости. Нам в 1980-81гг излагали
AН>> Эбберса-Молла и тому подобные вещи, практика с теорией хорошо
AН>> согласуется - и никаких каналов. Не надо вырожденных
AН>> полупроводников. "Тепловой ток", учебник посолиднее, мозг не
AН>> выносится, хотя чтиво и не лёгкое.

AA> Ваш препод забыл вам объяснить, зачем нужна высокая очистка ПП-в и
AA> какие последствия будут от недостаточно чистых материалов...

Об этом, что ли?

Поверхостный пробой (ток утечки). Реальные p-n-переходы имеют участки, выходящие на поверхность полупроводника. Вследствие возможного загрязнения и наличия поверхостных зарядов между p- и n- областями могут образовываться проводящие пленки и проводящие каналы, по которым идет ток утечки Iут. Этот ток увеличивается с ростом обратного напряжения и может привысить тепловой ток I0 и ток генерации Iген. Ток Iут слабо зависит от температуры. Для уменьшения Iут применяют защитные пленочные покрытия. Конец цитаты.


С уважением - Alexander
--- -

Andrey Arnold написал(а) к Alexander Hohryakov в Sep 17 21:36:02 по местному времени:

Alexander,

You wrote to Andrey Arnold:

AН>>> Ваш препод, наверное, ровесник Лосева и Бонч-Бруевича,
AН>>> рассказывал о делах своей молодости. Нам в 1980-81гг излагали
AН>>> Эбберса-Молла и тому подобные вещи, практика с теорией хорошо
AН>>> согласуется - и никаких каналов. Не надо вырожденных
AН>>> полупроводников. "Тепловой ток", учебник посолиднее, мозг не
AН>>> выносится, хотя чтиво и не лёгкое.
AA>> Ваш препод забыл вам объяснить, зачем нужна высокая очистка ПП-в
AA>> и какие последствия будут от недостаточно чистых материалов...
AН> Об этом, что ли?
AН>
AН> Поверхостный пробой (ток утечки). Реальные p-n-переходы имеют участки,
AН> выходящие на поверхность полупроводника. Вследствие возможного
AН> загрязнения и наличия поверхостных зарядов между p- и n- областями
AН> могут образовываться проводящие пленки и проводящие каналы, по которым
AН> идет ток утечки Iут. Этот ток увеличивается с ростом обратного
AН> напряжения и может привысить тепловой ток I0 и ток генерации Iген. Ток
AН> Iут слабо зависит от температуры. Для уменьшения Iут применяют
AН> защитные пленочные покрытия. Конец цитаты.

В ПП-х с нерегулярной структурой и плохо очищенных могу образовываться
каналы проводимости произвольной формы в произвольных местах, в том
числе и такие, которые описаны в этой копипастэ.


Andrey

--- ArAnd